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本文采用空心阴极空心阳极结构，用热阴极电子发射弧放电驱动并用磁场约束产生等离子体，用曲面发射引出离子束，研制成了氩气放电溅射离子源；
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2、
根据薄膜理论和工艺实验，采用直流磁控溅射技术对薄膜沉积的工艺参数进行了优化，获得了电阻温度系数TCR≤20×10-6/℃的锰铜薄膜，与块材接近，实现了锰铜压力传感器的薄膜化。
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3、
对Singmund热尖峰溅射模型进行了修正.用平均能量淀积密度近似代替了Singmund热尖峰溅射模型中的表面能量淀积密度近似。
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4、
Chemical stability of AIN thin films prepared by reactively pulsed laser sputtering deposition
反应式脉冲激光溅射淀积AlN薄膜化学稳定性研究
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5、
磁控溅射法制备SiO2膜传统上采用射频溅射工艺，但它成本较高，效率较低，无法充分满足大面积镀膜工业生产的需要。
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7、
HfO2薄膜利用电子束蒸发（EB）、离子束辅助（IAD）和双束离子束溅射（DIBS）三种方法沉积。
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射频等离子体增强非平衡磁控溅射沉积技术分析过程冗长，不利于生产质控。
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10、
So, in this work , AlN thin films were prepared by RF magnetron sputtering deposition method.
所以本文利用射频磁控溅射方法制备AlN薄膜.
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